技术参数：

• Ic(A),Tc=80℃        600

• Vce(sat),Max(V)        2.45

• Ton(us)               0.33

• Toff(us)               1.0

• Rth(j-c),K/W        0.004

• Pc(W)               3120

• 封装                  62mm

• 电路结构               一单元

性能概要：

• 低开关损耗

• 无可比拟的耐用性

• V（CESAT）具有正温度系数

• 低V（CESAT）

• CTI>400

• 高爬电距离和电气间隙

优点：

• 灵活性

• ***佳的电气性能

• ***高的可靠性

目标应用：

• 电机控制和驱动

• 风能系统解决方案

高能效组件和子系统的系统的高可靠性

• 太阳能系统解决方案

对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品

• 牵引